IGBT板块创历史新高,这个可能率先弯道超车的千亿市场会“鹿死谁手”?

今天的二级市场,主角换成了半导体。

作者:赛文 编辑:小市妹

今天(11月22日)的二级市场,主角换成了半导体,聚灿光电、晶方科技、神工股份等个股都以涨停收官。

而IGBT板块,扬杰科技、捷捷微电、富满微、华润微、斯达半导、新洁能等公司股价更是涨势撩人。

这是一个群雄逐鹿的时代,尤其对中国半导体产业来说,稍有落后可能就被大浪淘沙。

我国半导体产业的相对落后已是众所周知的客观事实,解决技术、产能、人才等各个方面的诟病早已刻不容缓。

如果要问在半导体产业链中中国最有机会率先实现弯道超车的领域是什么地方,第三代半导体要占据一席。

因为这个领域的差距并没有那么大,中国在SiC、GaN等第三代半导体材料发展上仅落后了1-2代。况且,国内产业链从上游到下游都已经涌现出一些优秀的公司,第三代半导体写入十四五规划,这一领域未来五年都将处于蓬勃发展的状态。

第三代半导体已经是众多IGBT厂商的主攻方向,SiC的优异性能表现,使得IGBT能发挥出更强的效率水平和更高的功率密度。IGBT属于汽车功率半导体的一种,因设计门槛高、制造技术难、投资大,被业内称为电动车核心技术的“珠穆拉玛峰”。

以扬杰科技为例,近年来公司持续加码研发,拓展产品业务。2019年,扬杰科技推出工业用高压IGBT产品,当前已经逐步放量。在第三代半导体领域,公司深耕多年,2020年SiCJBS产品实现650V/1200V全系列小批量生产,可运用于电动汽车、光伏微型逆变器、UPS电源等领域;SiCMOSFET产品预计2021年实现小批量生产。

再比如即将拆分上市到创业板的比亚迪半导体,公司招股说明书显示,IGBT产品一直占其营收的主要部分,也是其产品结构中最具竞争力的产品。而功率半导体是电动车电驱效率的关键,市场长期被国外厂商垄断,比亚迪半导体市占率18%排名第二,是国产替代的主力。

比亚迪旗下IGBT已达到第5代,SiC模块已达第3代并批量装配“汉”,第4代也正在开发中。比亚迪半导体是全球第一家,国内唯一一家实现SiC三相全桥模块在新能源汽车电机驱动控制器中大批量装车的功率半导体企业。到2023年,比亚迪旗下电动车将实现SiC基车用功率半导体对硅基的全面替代

未来几年,新能源电动车作为拉动中国半导体产业发展的三驾马车之一(5G、物联网、汽车电子被认为是拉动中国半导体的三驾马车),将带动半导体相关产业快速发展。

而本轮行业高景气中芯片制造产能供不应求,在供应紧缺的背景下,产能端将成为行业最大的瓶颈、重要的战略资源和产业链涨价的驱动力。

据StrategyAnalytics(第三方分析机构)测算,功率半导体在传统汽车中的成本大概在70美元,而在纯电动车上,成本要达到380美元。新时代证券曾做出预测,以单车成本为15万元人民币计算,到2025年国内新能源汽车IGBT的市场空间可达到约1050亿元。

目前这个千亿级的赛场,已经略显拥挤,近年来许多厂商研发加码,抓住了国产替代的时代性机遇,成功在IGBT市场中占得了一定份额,实现了0到1的突破。

而像时代电气、士兰微、华润微、斯达半导、扬杰科技、新洁能、宏微科技、华微电子等国内厂商已经迎来1到N放量的黄金期。

在资本的注视下,IGBT市场鹿死谁手?谁又会率先完成弯道超车?

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